| 11 |
|
Структурные модели стеклования чистых металлов и систем типа металл-металлоид: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. В. Левченко ; науч. рук. А. Т. Косилов, оппоненты: Б. М. Даринский, С. И. Курганский; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Тамбовский гос. ун-т. — Воронеж, 2002. — 17 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 12 |
|
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
| 13 |
|
Закономерности изменения структуры, сорбционных свойств и деформационного поведения технического титана ВТ1-0 в результате электронно-пучковой обработки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Бородовицина ; науч. рук. А. В. Панин, офиц. оппоненты : И. В. Киреева, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Новосибирский гос. техн. ун-т. — Томск, 2018. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 14 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|
| 15 |
|
Динамика вихревой топологической структуры в объеме отдельной наночастицы титаната бария во внешнем электрическом поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. А. Карпов ; науч. рук. Ю. Ю. Крючков, офиц. оппоненты : В. Я. Шур, Н. А. Емельянов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т, Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|