| 1 |
|
Высокоскоростная деформация и разрушение диэлектриков под действием сильноточных электронных пучков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; оппоненты: К. П. Арефьев, Г. А. Воробьев, Ю. И. Мещеряков; Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН (М.), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 2 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|
| 3 |
|
Труды IV Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 12-19 августа 2004 г., Томск, Россия / Рос. фонд фундаментальных исследований, Федеральная целевая программа "Интеграция", Томский политехнический университет, Восточно-Сибирский государственный технологический университет, Бурятский научный центр СО РАН; отв. ред. А. П. Суржиков. — Томск: Издательство ТПУ, 2004. — 519 с.: ил. — Авт. указ.: с. 503-508.
|
| 4 |
|
Труды V Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 28 июля - 4 августа 2006 г., Томск, Россия / Рос. фонд фундаментальных исследований, Международный научно-технический центр, Рос. академия естественных наук, Томский политехнический университет; отв. ред. А. П. Суржиков. — Томск: Издательство ТПУ, 2006. — 490 с.: ил. — Авт. указ.: с. 480-490.
|
| 5 |
|
Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.
|