| 41 |
|
Общая химия: [учебник] / И. Г. Хомченко. — М.: Новая волна, 2002. — 463, [1] с.: ил. — Предм. указ.: с. 456-464. — ISBN 5-94368-029-2. — ISBN 5-7864-0113-8: 71.00.
|
| 42 |
|
Разработка физических основ интегральных технологий самораспространяющегося высокотемпературного синтеза дисперсных материалов на основе легированных интерметаллических соединений никеля и титана: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. М. Вольпе ; науч. конс. В. В. Евстигнеев, оппоненты: Н. А. Конева, А. П. Савицкий, В. И. Бойко; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул), Институт структурной макрокинетики РАН. — Томск, 1998. — 44 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 41-42.
|
| 43 |
|
Разработка физических основ интегральных технологий самораспространяющегося высокотемпературного синтеза дисперсных материалов на основе легированных интерметаллических соединений никеля и титана: дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. М. Вольпе ; науч. рук. В. В. Евстигнеев; Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул). — Томск, 1997. — 473 л.: ил. — Библиогр.: с. 408-432.
|
| 44 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
| 45 |
|
Краткий химический справочник: справочное издание / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин ; под общ. ред. А. А. Потехина, А. И. Ефимова. — 4-е изд., стереотипное. — СПб.: Химия. Санкт-Петербургское отделение, 1994. — 432 с.: ил., табл. — Указ.: с. 429-432. — ISBN 5-7245-0988-1: 17.81.
Содержатся данные о физических и термодинамических свойствах свыше 1800 веществ, а также сведения по химическому равновесию, свойствам растворов, электрохимии, строению вещества и др. В 3-е издание (1991 г.) включены новые материалы: основы современной номенклатуры, характеристика природных полимеров, сведения по лабораторной технике и др. Уточнен ряд данных. Обновлена библиография. Может служить настольным справочным пособием для научных и инженерно-технических работников, преподавателей и студентов вузов, учащихся техникумов и старшеклассников.
|