1 |
|
С использованием GW-приближения, моделирующего собственную энергию квазичастиц произведением функции Грина и динамически экранированного кулоновского потенциала, рассчитана зависимость собственной ширины линии Г электронных и дырочных состояний, обусловленной неупругим рассеянием, от волнового вектора K как в занятом поверхностном состоянии, так и в первом состоянии потенциала изображения на поверхностях Cu(111)и Ag(111). Проанализированы различные вклады в затухание электронного и дырочного возбуждений. Показано, что для обеих поверхностей основным каналом для затухания дырок в занятых поверхностных состояниях является внутризонное рассеяние, а для электронов в состояниях потенциала изображения определяющими являются межзонные переходы. При росте К резкое уменьшение ширины линии дырочного состояния обусловлено уменьшением числа конечных состояний, тогда как рост Г состояния потенциала изображения в основном определяется увеличением его перекрывания с объемными состояниями.
|
2 |
|
Представлено детальное описание метода теоретического расчета электрон-фононного рассеяния электронных и дырочных возбуждений на поверхности (110) благородных металлов. Метод основан на описании электронной структуры поверхности с помощью двумерного модельного псевдопотенциала.
|
3 |
|
|
4 |
|
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
5 |
|
Поверхностные (таммовские) состояния / С. Дэвисон, Дж. Левин ; пер. с англ. А. Я. Беленького, под ред. Д. А. Киржница. — М.: Мир, 1973. — 232 с.: ил. — Библиогр.: с. 222-231. — 0.80.
|