Волоконно-оптические рециркуляционные устройства задержки и хранения сигналов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / В. И. Карпов ; науч. рук. М. И. Беловолов, офиц. оппоненты: А. П. Жилинский, В. А. Сычугов; Институт общей физики АН СССР, Институт электроники АН Беларусской ССР. — М., 1991. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Моделирование разномасштабных необратимых процессов в условиях высокоэнергетических воздействий: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04, 05.16.01 / Н. В. Букрина ; научный руководитель А. Г. Князева, оппонент О. В. Матвиенко, оппонент О. А. Кашин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2009. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Исследование диспергирования растительного сырья и экстракции водорастворимых веществ с использованием электрических импульсных разрядов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. В. Барская ; науч. рук. А. А. Дульзон, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, В. Н. Сафронов; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Кемеровский технологический институт пищевой промышленности (Кемерово). — Томск, 1998. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.

Разработка физико-химических и технологических основ компактирования дисперсных металлических систем: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01 / Т. К. Сокольская ; науч. рук. И. П. Арсентьева, офиц. оппоненты : Л. М. Капуткина, И. А. Гуляев; Московский вечерний металлургический институт, Научно-производственное предприятие "Темп". — М., 1995. — 25 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Структура и свойства поликристаллического α-Al2O3 модифицированного мощным лазерным излучением: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Е. В. Саврук ; науч. рук. С. В. Смирнов, офиц. оппоненты : С. А. Гынгазов, М. В. Гришаев; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Новосибирский государственный технический университет. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.