Рассмотрено образование дефектов кристаллической решетки в зоне концентратора напряжений как локальное структурное превращение кристалла, протекающее в два этапа. На первом этапе кристалл переходит в сильновозбужденное состояние. Получена зависимость вероятности образования сильновозбужденного состояния от величины механических напряжений и энергии возбуждения этого состояния. Константа скорости реакции указанного процесса определяется формулой, подобной формуле Журкова. На втором этапе сильновозбужденное состояние под действием напряжений переходит в структурное состояние, соответствующее кристаллу с дефектом. Проанализировано влияние размера концентратора напряжений на концентрацию образующихся дефектов различного типа.

На основе оригиналтьного подхода к процессам кристаллизации реализован метод анализа кристаллических структур (алгоритмы программ, механико-волновая трактовка,с пособы визуализации). Детально разобранные примеры демонстрируют всю процедуру анализа и служат пособием для его самостоятельного использования. На базе проанализированных кристаллических структур фторидов, оксидов, сульфидов, структур с кластерными группировками и других сложных конструкций сформулированы общие закономерности кристаллообразования. Показана всеобщность псевдотрансляционного упорядочения атомов и атомных групп как основного механизма процесса, создающего "силовой скелет" будущей структуры. Книга будет полезна и интересна как специалистам по рентгеноструктурному анализу, кристаллографам и кристаллохимикам, так и людям с минимальной физ.-мат. подготовкой, стремящимся понять таинственный феномен идеального уупорядочения в окружающей нас материи.