1 |
|
Светодиоды / А. Берг, П. Дин ; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 686 с.: ил. — Предм. указ.: с. 677-682. — Библиогр. в конце глав. — 3.40.
|
2 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
3 |
|
Физическая электроника: сб. науч. тр. / Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина; отв. ред. К. П. Селезнев. — Л.: Ленинградский политехнический институт, 1977. — 124 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина). — Библиогр. в конце ст. — 1.00.
|
4 |
|
Эктоны / Г. А. Месяц ; Рос. АН, Уральское отд-ние, Институт электрофизики. — Екатеринбург; : Наука.
: Эктоны в электрофизических устройствах. — Екатеринбург: Наука, 1994. — 260 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-02-007437-3.
|
5 |
|
Физика полупроводников / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Предм. указ.: с. 600-611. — Библиогр. в конце глав. — 2.90.
|
6 |
|
Полупроводниковые сверхрешетки / М. А. Херман ; пер. с англ. А. Я. Шика. — М.: Мир, 1989. — 240 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001015-7: 2.60.
|
7 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54.
|
8 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
:. — М.: Радио и связь, 1984. — 224 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75.
|
9 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
:. — М.: Радио и связь, 1983. — 223 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75.
|
10 |
|
Метод МБР в квантовой электронике и лазерное разрушение: сб. статей / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; гл. ред. Н. Г. Басов, отв ред. тома А. М. Прохоров. — М.: Наука, 1982. — 192 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР). — Библиогр. в конце статей.
Методом МБР изучены упругие и фотоупругие свойства и рэлеевское рассеяние ряда оптических и лазерных стекол, обнаружена связь рэлеевского рассеяния и эффективности межионных взаимодействий в стеклах, исследованы потери и поляризация света в световодах. Исследованы частотная и температурная зависимости порогов лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов. Разработана методика и проведены исследования обьемного лазерного разрушения ряда полупроводников, непрозрачных в видимой области спектра. Книга предназначена для специалистов в области квантовой электроники, волоконно-оптической связи, физики твердого тела и молекулярной оптики.
|