Книга посвящена вторично-эмиссионным методам исследования поверхностных и объемных свойств твердого тела. В основе этих методов лежат разнообразные физические явления, наблюдаемые при взаимодействии с твердым телом электронов малых и средних энергий (от 1 эВ до 100 кэВ). В книге рассматриваются физические основы методов дифракции медленных электронов (ДМЭ), электронной оже-спектроскопии (ЭОС) и характеристических потерь энергии электронов (ХПЭ), описываются различные способы приготовления образцов (мишеней), методы очистки поверхности, источники моноэнергетических пучков первичных электронов, методы измерения основных величин, характеризующих зарядку диэлектриков, электронно-возбужденную проводимость (ЭВП), вторичную электронную эмиссию (ВЭЭ), упругое и неупругое рассеяние электронов в твердых телах. Большое внимание уделено специфике методов изучения неметаллических объектов в условиях, когда можно исключить побочные эффекты. Описываются элементы экспериментальной аппаратуры и современные способы регистрации и обработки результатов экспериментов с применением автоматики и ЭВМ.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.