| 21 |
|
Физическая электроника: сб. науч. тр. / Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина; отв. ред. К. П. Селезнев. — Л.: Ленинградский политехнический институт, 1977. — 124 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина). — Библиогр. в конце ст. — 1.00. |
| 22 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00. |
| 23 |
|
XVIII Российская конференция по электронной микроскопии: Тезисы докладов / Рос. АН, Науч. совет по электронной микроскопии, Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов, Ин-т кристаллографии. — Черноголовка: Богородский печатник, 2000. — 338 с.: ил. — Авт. указ.: с. 331-338. — ISBN 5-89589-020-2: 76.80.
|
| 24 |
|
Техника распыления ионными пучками / А. П. Семенов ; отв. ред. Ю. Л. Ломухин ; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Бурятский научный центр, Ин-т естественных наук СО РАН. — Улан-Удэ: БНЦ СО РАН, 1996. — 120 с.: ил., табл. — ISBN 5-7623-1110-4: 8.58.
|
| 25 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
|
| 26 |
|
Проблемы субмикронной технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома А. А. Орликовский. — М.: Наука, 1993. — 113 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-006991-4: 200.00. |
| 27 |
|
Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы: учеб. пособие для вузов по спец. "Электронные приборы" / А. А. Жигарев, Г. Г. Шамаева. — М.: Высшая школа, 1982. — 463 с.: ил. — Библиогр.: с. 457-458. — 1.30.
|
| 28 |
|
Физические основы полупроводниковой электроники: посвящается памяти В. Е. Лашкарева / АН УССР, Институт полупроводников; под общ. ред. О. В. Снитко. — Киев: Наукова думка, 1985. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 269-302. — 3.80. |
| 29 |
|
Резонансная перезарядка и рассеяние ионов поверхностью кристалла NaCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Р. Р. Убайдуллаев ; науч. рук. М. Б. Гусева, офиц. оппоненты: Н. П. Калашников, Б. Л. Оксенгендлер; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (М.). — М., 1990. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.
|
| 30 |
|
Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер ; пер. с фр. под ред. О. Н. Ермакова. — М.: Техносфера, 2004. — 592 с.: ил. — ISBN 5-94836-031-8: 238.00.
|