| 91 |
|
Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фелдман, Д. Майер ; пер. с англ. под ред. В. В. Белошицкого. — М.: Мир, 1989. — 342, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001017-3: 3.70.
|
| 92 |
|
Рост и морфология тонких пленок / В. И. Трофимов, В. А. Осадченко. — М.: Энергоатомиздат, 1993. — 272 с.: ил. — Библиогр.: с. 263-272. — ISBN 5-283-03861-0: 9300.00.
|
| 93 |
|
Когерентная и нелинейная оптика фотонных кристаллов: монография / Б. И. Манцызов. — М.: Физматлит, 2009. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 187-206. — ISBN 978-5-9221-1201-7: 140.00.
Книга посвящена описанию когерентных нелинейных оптических явлений, возникающих при взаимодействии интенсивных лазерных импульсов с пространственно периодической резонансной средой, или резонансным фотонным кристаллом. Изложена теория нелинейной динамической брэгговской дифракции, рассмотрена динамика формирования, распространения и взаимодействия точных и возмущенных брэгговских солитонов в таких структурах. Подробно также описаны различные механизмы повышения эффективности трехволнового параметрического взаимодействия в фотонных кристаллах с квадратичной нелинейностью. Книга будет полезна физикам-теоретикам и экспериментаторам, работающим в области нелинейной оптики и лазерной физики, а также преподавателям, аспирантам и студентам при изучении этих дисциплин.
|
| 94 |
|
Аморфные полупроводники / М. Бродски [и др.] ; под ред. М. Бродски, пер. с англ. под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. — М.: Мир, 1982. — 419 с.: ил. — (Проблемы прикладной физики). — Предм. указ.: с. 415-416. — Библиогр. в конце глав. — 4.00. |
| 95 |
|
Физические основы электронной техники: учеб. для вузов по спец. "Электронные приборы" / С. А. Фридрихов, С. М. Мовнин. — М.: Высшая школа, 1982. — 608 с.: ил. — (Высшее образование). — Библиогр.: с. 605. — 1.70.
|
| 96 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 97 |
|
Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл / Г. А. Бордовский, В. А. Извозчиков; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб.: Образование, 1997. — 422 с.: ил. — Библиогр.: с. 391-413. — ISBN 5-233-00324-4: 93.00.
|
| 98 |
|
Введение в теорию дефектов в кристаллах: учеб. пособие для вузов по спец. "Физика металлов" / А. Н. Орлов. — М.: Высшая школа, 1983. — 144 с.: ил. — Библиогр.: с. 144. — 0.25.
|
| 99 |
|
Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах / А. Л. Суворов. — М.: Энергоиздат, 1982. — 167 с.: ил. — Библиогр.: с. 160-165. — 0.65.
|
| 100 |
|
Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников / В. Н. Добровольский, В. Г. Литовченко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1985. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 175-191. — 2.40.
|