| 41 |
|
XXIVI Российская конференция по электронной микроскопии [Электронный ресурс] : материалы временных коллективов / Российская конференция по электронной микроскопии (Черноголовка). — Электрон. дан. — Черноголовка, 2012. — Загл. с диска. — 150.00.
|
| 42 |
|
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
|
| 43 |
|
Полупроводниковая электроника : межвуз. сб. / под ред. В. В. Пасынкова.
:. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1974. — 181 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.93.
|
| 44 |
|
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
|
| 45 |
|
Полупроводники: сб. науч. тр. / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск: ИФП РАН, 1995. — 326 с.: ил. — ISBN 5-7623-1179-1: 10000.00. |
| 46 |
|
Высокотемпературная сверхпроводимость (Актуальные проблемы) : межвед. сб. / Ленинградский гос. ун-тет им. А. А. Жданова ; под ред. А. А. Киселева.
:. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1991. — 248 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.60.
|
| 47 |
|
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск). — Новосибирск: Параллель, 2014. — 843 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — Схема доступа: http://www.prometeus.nsc.ru/acquisitions/14-12-02/cont03.ssi. — ISBN 978-5-98901-144-5. Настоящая книга представляет собой юбилейное издание избранных трудов, посвященное пятидесятилетию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Представлены результаты основных достижений Института в области, физики полупроводников и диэлектриков, физики конденсированных сред, физики и технологии низкоразмерных систем для опто-, нано- и акустоэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной физики и квантовой информатики. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов и однофотонных излучателей, наносенсоров. Представленные обзоры научных исследований только частично отражают историю развития Института, демонстрируя приоритетные направления развития полупроводниковой электроники на современном этапе. Книга представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем, а также тех, кто интересуется историей развития российской науки.
|
| 48 |
|
Длинноволновая инфракрасная спектроскопия: Исследования в области физики твердого тела : сб. науч. тр. / пер. с англ. под общ. ред. В. Н. Мурзина. — М.: Мир, 1966. — 319, [1] с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.24. |
| 49 |
|
Основы физики полупроводников: нанофизика и технические приложения / М. Грундман; пер. с англ. под ред. В. А. Гергеля. — 2-е изд. — М.: Физматлит, 2012. — 771[3]л. ил. с.: ил. — ISBN 978-5-9221-1394-6: 200.00.
В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 50 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
|