11 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
12 |
|
Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович. — СПб.: Наука, 1999. — 389 с.: ил. — ISBN 5-02-024859-2: 44.00.
|
13 |
|
Физические основы электронной техники: учеб. для вузов по спец. "Электронные приборы" / С. А. Фридрихов, С. М. Мовнин. — М.: Высшая школа, 1982. — 608 с.: ил. — (Высшее образование). — Библиогр.: с. 605. — 1.70.
|
14 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
15 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1988. — 142 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
16 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1985. — 135 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
|
17 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
18 |
|
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
|
19 |
|
Техническая электроника : пер. с нем. : в 2-х т. / М. Кноль, И. Эйхмейер. — М.; : Энергия.
: Физические основы электроники. Вакуумная техника. — М.: Энергия, 1971. — 472 с.: ил. — 2.22.
|
20 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
|