| 91 |
|
Физические основы электроники: учеб. пособие для вузов / Ю. Н. Бобылев. — М.: Издательство Московского государственного горного университета, 1999. — 290 с.: ил. — (Высшее горное образование). — Библиогр.: с. 287-288. — ISBN 5-7418-0130-7: 162.60.
|
| 92 |
|
Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами / В. М. Тучкевич, И. В. Грехов; АН СССР, Академические чтения. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1988. — 117 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-115. — 0.40.
|
| 93 |
|
Высокоэнергетическая электроника / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30. |
| 94 |
|
Радиационные процессы в многокомпонентных материалах. Теория и компьютерное моделирование / Ю. В. Трушин; Рос. АН, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2002. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 361-367. — ISBN 5-79890-204-8.
|
| 95 |
|
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск). — Новосибирск: Параллель, 2014. — 843 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — Схема доступа: http://www.prometeus.nsc.ru/acquisitions/14-12-02/cont03.ssi. — ISBN 978-5-98901-144-5. Настоящая книга представляет собой юбилейное издание избранных трудов, посвященное пятидесятилетию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Представлены результаты основных достижений Института в области, физики полупроводников и диэлектриков, физики конденсированных сред, физики и технологии низкоразмерных систем для опто-, нано- и акустоэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной физики и квантовой информатики. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов и однофотонных излучателей, наносенсоров. Представленные обзоры научных исследований только частично отражают историю развития Института, демонстрируя приоритетные направления развития полупроводниковой электроники на современном этапе. Книга представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем, а также тех, кто интересуется историей развития российской науки.
|
| 96 |
|
Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.
|
| 97 |
|
Вторичная электронная эмиссия / И. М. Бронштейн, Б. С. Фрайман. — М.: Наука, 1969. — 407 с.: ил. — (Физико-математическая библиотека инженера). — Библиогр.: с. 354-407. — 1.52.
|
| 98 |
|
Проблемы современной радиотехники и электроники / АН СССР, Институт радиотехники и электроники; отв. ред. В. А. Котельников. — М.: Наука, 1987. — 260 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.00. |
| 99 |
|
Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками / В. М. Галицкий, В. Ф. Елесин. — М.: Энергоатомиздат, 1986. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 183-189. — 2.40.
|
| 100 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20.
|