| 1 |
|
Полупроводниковая электроника : межвуз. сб. / под ред. В. В. Пасынкова.
:. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1974. — 181 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.93.
|
| 2 |
|
Полупроводники: сб. науч. тр. / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск: ИФП РАН, 1995. — 326 с.: ил. — ISBN 5-7623-1179-1: 10000.00. |
| 3 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54. |
| 4 |
|
Nanostructures : Physics and Technology: 7th International Symposium, St Petersburg, Russia, June 14-18, 1999 : Proceedings. — St Petersburg: Ioffe Institute, 1999. — 565 с. — ISBN 5-86763-008-0: 35.00. |
| 5 |
|
Физическая электроника: сб. науч. тр. / Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина; отв. ред. К. П. Селезнев. — Л.: Ленинградский политехнический институт, 1977. — 124 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина). — Библиогр. в конце ст. — 1.00. |
| 6 |
|
Электроника твердого тела: учеб. пособие / Е. В. Нефёдцев; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2017. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 159. — ISBN 978-5-94458-165-5: 299.72.
В первой главе пособия кратко изложены основы кристаллографии. Во второй главе даны физические основы электроники твердого тела. В последующих четырех главах изложены ключевые вопросы физики полупроводников: равновесная статистика электронов и дырок, перенос носителей заряда, контактные явления и явления в сильных электрических полях. Для аспирантов и студентов.
|
| 7 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1988. — 142 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
| 8 |
|
Физика полупроводников / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Предм. указ.: с. 600-611. — Библиогр. в конце глав. — 2.90.
|
| 9 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
| 10 |
|
Теория твердого тела / У. Харрисон ; пер. с англ. Г. Л. Краско ; под ред. Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1972. — 616 с.: ил. — Предм. указ.: с. 610-613. — 6.58.
|