| 1 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2-х ч. / Г. Я. Красников. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2004. — 536 с.: ил. — Библиогр.: с. 531-535. — ISBN 5-94836-001-6: 100.00.
|
| 2 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2-х ч. / Г. Я. Красников. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2002. — 416 с.: ил. — Библиогр.: с. 400-406. — ISBN 5-94836-001-6: 104.00.
|
| 3 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Красников. — 2-е изд., испр. — М.: Техносфера, 2011. — 799 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-289-2: 1188.00.
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
|
| 4 |
|
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко. — М.: Физматлит, 2010. — 407 с.: ил.; 23 см. — Библиогр.: с. 372-401. — ISBN 978-5-9221-1200-0: 462.00.
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
|
| 5 |
|
Полупроводниковые приборы. Транзисторы: доп. первое / В. М. Петухов. — М.: Радио и связь, 1994. — 230 с.: ил. — (Справочник). — ISBN 5-256-01093-X: 3000.00.
|
| 6 |
|
Зарубежные транзисторы: справ. / Е. Ф. Турута. — М.: Горячая линия - Телеком, 2002. — 756 с.: ил. — ISBN 5-93517-060-4: 404.80.
|
| 7 |
|
Электроника - практический курс / М. Х. Джонс ; пер. с англ. Е. В. Воронова, А. Л. Ларина. — М.: Постмаркет, 2003. — 528 с.: ил. — (Библиотека современной электроники). — Парал. тит. лист англ. — ISBN 5-901095-01-4: 254.80.
|
| 8 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог : в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
:. — М.: РадиоСофт, 1999. — 928 с.: ил. — ISBN 5-93037-013-3: 80.00.
|
| 9 |
|
Электроника - практический курс / М. Х. Джонс ; пер. с англ. Е. В. Воронова, А. Л. Ларина. — М.: Постмаркет, 1999. — 528 с.: ил. — (Библиотека современной электроники). — Парал. тит. лист англ. — Предм. указ.: с. 512-520. — Библиогр.: с. 509-511. — ISBN 5-901095-01-4: 126.00.
|
| 10 |
|
Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов: справ. / В. П. Петухов. — М.: КУбК-а, 1997. — 320 с.: ил. — ISBN 5-85554-143-6: 10500.00.
|