| 1 |
|
Классическая электроника и наноэлектроника: учеб. пособие для вузов по напр. подгот. 210400 "Телекоммуникации" / А. Н. Игнатов, Н. Е. Фадеева, В. Л. Савиных. — М.: Флинта, 2009. — 725, [1] с.: граф.; 21 см. — Библиогр.: с. 715-716. — ISBN 978-5-02-034782-3. — ISBN 978-5-9765-0263-5: 760.50.
В книге изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Рассмотрены физических и технологические основы наноэлектроники; наноэлектронные транзисторы, фотоприемники и лазеры; приборы на основе углеродных нанотрубок; возможности создания квантовых компьютеров; наноэлектронные изделия для компьютеров, информационных и телекоммуникационных систем; основы функциональной электроники; вопросы стандартизации и надежности электронной аппаратуры. Для студентов и инженерно-технических работников, связанных с проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.
|
| 2 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. Гуртов. — 2-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2007. — 406 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 405-406. — ISBN 978-5-94836-120-8: 214.00.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.
|
| 3 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
| 4 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|
| 5 |
|
Промышленная электроника: учеб. пособие для энерг. спец. вузов / Г. Н. Горбачев, Е. Е. Чаплыгин ; под ред. В. А. Лабунцова. — М.: Энергоатомиздат, 1988. — 320 с.: ил. — Предм. указ.: с. 315-318. — Библиогр.: с. 314-315. — ISBN 5-283-00517-8: 0.95.
|
| 6 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2003. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 165.77.
|
| 7 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 135.00.
|
| 8 |
|
Основы полупроводниковой электроники: [для специальности 351400 "Прикладная информатика (по обл.)" и др. междисциплинар. специальностям] / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. — М.: Горячая линия - Телеком, 2005. — 391 с.: ил.; 22 см. — (Учебное пособие для высших учебных заведений). — Библиогр.: с. 388. — ISBN 5-93517-226-7: 276.00.
В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.
|
| 9 |
|
Микросхемотехника и наноэлектроника: учеб. пособие / А. Н. Игнатов. — СПб.; М.; Краснодар: Лань, 2011. — 527 с.: ил.; 24 см. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — Библиогр.: с. 515-522. — ISBN 978-5-8114-1161-0: 1796.00.
Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Проанализированы физические и технологические основы наноэлектроники, особенности наноэлектронных транзисторов, фотоприемников и лазеров, приборов на основе углеродных нанотрубок. Издание предназначено для бакалавров по направлениям подготовки «Электроника и наноэлектроника» и «Радиотехника». Также может быть полезно инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.
|
| 10 |
|
Электронные цепи и микросхемотехника: учеб. пособие для вузов по напр. подгот. бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по спец. "Микроэлектроника и твердот. электроника" и др. / Ю. А. Быстров, И. Г. Мироненко. — М.: Высшая школа, 2002. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 382. — ISBN 5-06-004040-2: 65.52.
|