Исследование влияния эмиссионных и коммутационных процессов на параметры рентгеновских импульсов диодов с взрывной эмиссией: автореферат дис. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.04 / Л. Я. Морговский ; науч. рук. С. П. Бугаев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. М. Жуков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный научно-исследовательский институт научного приборостроения (Л.), Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник" (Л.), Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений (М.). — Томск, 1983. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.

Компактные источники мощных нано- и субнаносекундных электронных пучков и электромагнитных полей: дис. ... д-ра техн. наук в виде научного доклада : 01.04.13 / М. И. Яландин ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Н. Ф. Ковалев, Ю. Г. Юшков; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт радиотехники и электроники РАН (М.). — Екатеринбург, 1996. — 61 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 57-61.

Лазерная диагностика предпробивных процессов в деионизированной воде: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / П. Г. Петров ; науч. рук. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Н. Г. Преображенский, В. Ф. Климкин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Ленинградский политехнический институт (Л.). — Томск, 1987. — 23 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Разработка и исследование источников мощных наносекундных потоков заряженных частиц и рентгеновского излучения: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.13 / Н. А. Ратахин ; офиц. оппоненты: С. Д. Коровин, Г. Е. Ремнев, А. В. Аржанников; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2000. — 56 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 54-56.

Процесс формирования токового слоя в аргоновом лайнере и его влияние на динамику имплозии: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. Г. Русских ; науч. рук. Р. Б. Бакшт; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1998. — 136 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 127-136.

Исследование электрического взрыва проводников и его применение в электрофизических установках: дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / В. С. Седой ; науч. конс. А. В. Лучинский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2003. — 235 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 207-235.

Многоволновые СВЧ-генераторы сверхбольшой мощности: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в форме научного доклада: 05.27.02 / В. И. Кошелев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1990. — 37 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Распределение электронов по энергиям и элементарные процессы в плазме отрицательного свечения тлеющего разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / Г. С. Евтушенко ; науч. рук. И. И. Муравьев, офиц. оппоненты: Н. Г. Преображенский, Ю. Д. Королев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.). — Томск, 1979. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.

Исследование релаксационных процессов, инициируемых наносекундным разрядом в водороде и гелии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Р. Х. Амиров ; науч. рук.: Э. И. Асиновский, В. В. Марковец, офиц. оппоненты: Г. К. Васильев, Ю. П. Райзер; Московский физико-технический институт, Институт высоких температур АН СССР, Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Методы диагностики рентгеновского излучения плазмы сцинтилляционными и трековыми детекторами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Г. Х. Салахутдинов; Нац. исслед. ядер. ун-т "МИФИ". — М., 2010. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.