Исследование энергетических и временных характеристик фрагментации вторичных кластерных ионов тантала: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / И. В. Веревкин ; науч. рук. Н. Х. Джемилев, офиц. оппоненты: В. Т. Черепин, Э. Г. Назаров; Институт электроники им. У. А. Арифова АН Республики Узбекистан (Ташкент), Ташкетский государственный университет (Ташкент). — Ташкент, 1993. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Роль мономолекулярных распадов кластерных ионов в формировании энергетических и масс-спектральных распределений вторичных ионов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. В. Верхотуров ; науч. рук. Н. Х. Джемилев, офиц. оппоненты: В. Т. Черепин, С. Ф. Белых; Институт электроники им. У. А. Арифова АН Республики Узбекистан (Ташкент), Донецкий гос. ун-т. — Томск, 1993. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-24.

Распыление диэлектриков нейтральными атомами средних энергий: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / О. Л. Рязанцева ; науч. рук. Л. А. Сена; Ленинградский горный институт им. Г. В. Плеханова (Л.). — Ленинград, 1984. — 173 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 165-173.

Компьютерное моделирование физических процессов при воздействии ионов и электронов на поверхность и газ: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Рыжов ; офиц. оппоненты: В. Я. Иванов, А. В. Лучинский, С. И. Яковленко; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.

К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: физическое распыление одноэлементных твердых тел / Р. Бериш [и др.] ; под ред. Р. Бериша, пер. с англ. под ред. В. А. Молчанова. — М.: Мир, 1984. — 336 с.: ил. — (Проблемы прикладной физики). — 3.70.

Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / под ред. Р. Бериша, пер. с англ. под ред. В. А. Молчанова. — М.; : Мир.

Квантовые эффекты объемного и поверхностного каналирования частиц в системе атомных плоскостей кристалла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. Г. Хлабутин ; науч. рук. В. А. Литвинов, офиц. оппоненты: В. В. Белошицкий, В. Я. Эпп; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1986. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Химическое состояние и атомная структура поверхности г.ц.к. металлов в реакции взаимодействия с галогенами / Рос. АН, Ин-т общей физики им. А. М. Прохорова; отв. ред. тома : В. И. Конов, К. Н. Ельцов. — М.: Наука, 2003. — 185 с.: ил. — (Труды Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН / гл. ред. И. А. Щербаков, 0233-9390). — ISBN 5-02-032950-9: 88.00.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.