Теоретические и экспериментальные основы проектирования технологических газоразрядных источников электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / И. В. Мельник ; науч. конс. С. В. Денбновецкий, офиц. оппоненты: А. А. Гончаров, А. А. Новиков, Н. И. Гречанюк; Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт". — Киев, 2008. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-36.

Особенности взаимодействия электронов и позитронов с твердым телом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Цехановский ; науч. рук.: А. А. Воробьев , С. А. Воробьев , офиц. оппоненты: Б. А. Кононов , А. Ф. Аккерман; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1974. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Генерирование сильноточных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования в плазменных источниках электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / В. И. Гушенец ; науч. рук. П. М. Щанин, офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Ю. А. Коваленко; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — Томск, 1991. — 19 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Устойчивость и эмиссионные свойства газоразрядных структур с осциллирующими электронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / С. П. Никулин ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты: В. А. Груздев, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Институт электрофизики УрО АН СССР, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — Томск, 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Теоретическое исследование неустойчивости жидкой и твёрдой поверхности сильноточных источников электронов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Ю. Ф. Матюшичев ; науч. рук. : Г. Н. Фурсей, Л. М. Баскин; Государственный ордена Ленина и ордена Октябрьской революции Оптический институт им. С. И. Вавилова. — Ленинград, 1980. — 117 л. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 112-117.

Электронные пушки с плазменным эмиттером на основе разряда с холодным полым катодом: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / В. А. Груздев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1989. — 277 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 257-277.

Эффективный заряд иона / В. П. Ковалев. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 162-164. — ISBN 5-283-03023-7: 2.30.

Пробой коаксиального диода поперек магнитного поля и методы увеличения длительности импульса тока электронного пучка: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Ким ; науч. рук. С. П. Бугаев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1983. — 135 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 117-135.

Исследование влияния эмиссионных и коммутационных процессов на параметры рентгеновских импульсов диодов с взрывной эмиссией: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Л. Я. Морговский ; науч. рук. С. П. Бугаев; Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник", Всесоюзный научно-исследовательский и конструкторский институт научного приборостроения. — Л., 1983. — 206 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 185-206.

Влияние рельефа поверхности и площади на протекание электронных процессов в формованных МДМ-системах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Л. А. Троян ; науч. рук. Г. А. Воробьев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1985. — 195 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 176-195.