| 1 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 2 |
|
Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.
|
| 3 |
|
Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Ф. Штанько ; науч. рук.: В. А. Москалев, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. А. Михальченко, Н. А. Битовский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Латвийской ССР (Тарту). — Томск, 1975. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 4 |
|
Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 5 |
|
Температурная зависимость проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении сильноточными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Наминов ; науч рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Э. Д. Алукер, В. С. Старцев; Уральский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физики АН ЭССР. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 6 |
|
Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 7 |
|
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
|
| 8 |
|
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах / Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. — М.: Наука, 1989. — 263 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-261. — ISBN 5-02-014026-0: 4.10.
|
| 9 |
|
Кинетика движения дырок в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. Г. Дейч ; науч. рук. Э. Д. Алукер, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Ю. Р. Закис; Институт физики АН Латвийской ССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Саласпилс, 1982. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 10 |
|
Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.
|