Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Орловский ; науч. конс. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. М. Дианов, Е. Ф. Кустов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — М., 1998. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.

Особенности переноса энергии электронного возбуждения между ионами хрома и редкоземельных элементов в кристаллах гранатов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Ю. С. Привис ; науч. рук. И. А. Щербаков, офиц. оппоненты: В. И. Жеков, А. М. Онищенко; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1998. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Перенос энергии электронного возбуждения от ионов хрома к ионам неодима, тулия и гольмия в кристаллах скандиевых гранатов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / И. Т. Сорокина ; науч. рук.: И. А. Щербаков, В. А. Смирнов, офиц. оппоненты: Б. И. Денкер, С. К. Пак; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт ядерной физики (М.). — М., 1992. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-24.

Исследование анизотропии нелинейного поглощения в кристаллах LiF:F2-, ИАГ:Cr4+ и ИАГ:V3+: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Кирьянов ; науч. рук. Н. Н. Ильичев, офиц. оппоненты: В. А. Смирнов, А. И. Ерохин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Научно-исследовательский институт ядерной физики (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1995. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.

Оптически плотные активные среды / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома И. А. Щербаков. — М.: Наука, 1990. — 161 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров, 0233-9390). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000774-9: 3.10.

Механизмы безызлучательного переноса энергии возбуждения с уровня 4S3/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Y AI O3, Gd3Ga5O12, Y3Ga5O12, Y Li F4 : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / М. И. Студеникин ; науч. рук.: Т. М. Мурина, В. И. Жеков, офиц. оппоненты: В. А. Смирнов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — М., 1992. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-18.

Лекции по квантовой электронике: учеб. пособие для вузов / Н. В. Карлов. — М.: Наука, 1983. — 320 с.: ил.

Излучательные и внутрицентровые безызлучательные переходы с высоколежащих уровней иона Nd3+ в лазерных матрицах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Ю. Дергачев ; науч. рук. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. Б. Свешникова, В. И. Жеков; Институт общей физики АН СССР, Институт радиоэлектроники АН СССР. — М., 1991. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Твердотельные лазеры на основе оптически плотных кристаллических сред: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. Б. Цветков ; офиц. оппоненты: Г. М. Зверев, Л. А. Кулевский, В. Я. Панченко; Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 2002. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-30.