Компьютерное моделирование методом Монте-Карло процессов переноса электронов в твердотельных структурах в наноэлектронике : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Х. К. Чан ; науч. рук. В. А. Смоляр, офиц. оппоненты: М. Б. Белоненко, И. И. Маглеванный; Волгоградский гос. техн. ун-т, Саратовский гос. техн. ун-т им. Ю. А. Гагарина. — Волгоград, 2016. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.

Взрывная электронная эмиссия в СВЧ полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Контонистов ; науч. рук.: Г. Н. Фурсей, Л. А. Широчин, офиц. оппоненты: А. Ф. Александров, В. И. Энгелько; Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (М.), Ленинградский электротехнический институт связи им. М. А. Бонч-Бруевича, Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.). — М., 1986. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.

Нейтрин-лептонные процессы во внешнем магнитном поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. А. Гусейнов ; науч. рук. В. Ч. Жуковский, офиц. оппоненты: А. С. Вшивцев, П. А. Эминов; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Томский государственный университет (Томск). — М., 1994. — 10 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 10.

Прямой детекторный метод исследования малых примесей атмосферы: автореферат дисс. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / С. Ж. Токтомышев ; офиц. оппоненты: Р. И. Солоухин, В. Г. Истомин, В. Г. Дудников; Ин-т космических исследований АН СССР, Фрунзенский политехнический ин-т КиргССР. — М., 1982. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Параметры и характеристики пучковой плазмы, генерируемой в форвакуумной области давлений электронным источником с плазменным катодом : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. Б. Золотухин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: В. Л. Паперный, В. П. Кривобоков; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2016. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Экспериментальное исследование сверхпроводящих СВЧ-систем на высоком уровне: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.04. / Г. М. Самойленко ; науч. рук.: А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: А. А. Глазков, П. М. Щанин ; Томский политехнический институт имени С. М. Кирова, Московский радиотехнический институт АН СССР. — Томск, 1978. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.

Миниатюризация импульсных сильноточных ускорителей электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / В. Г. Шпак ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, М. Д. Райзер, П. М. Щанин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 1989. — 28 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-28.

Кинетические эффекты в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом в инертных газах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. С. Кобзева ; науч. рук.: Н. А. Ашурбеков, К. О. Иминов, офиц. оппоненты: Ф. И. Высикайло, М. М. Гаджиалиев; Дагестанский государственный университет (Махачкала), Объединенный институт высоких температур РАН. — Махачкала, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.

Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / П. Ю. Бабенко ; науч. рук. А. П. Шергин, офиц. оппоненты: А. З. Девдариани, И. И. Пронин; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб., 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Моделирование динамики конденсированных сред, облучаемых мощными пучками заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. Я. Лейви ; науч. рук. А. П. Яловец, офиц. оппоненты: Н. М. Зубарев, А. Е. Коренченко; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Екатеринбург, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.