Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.

Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.

Легирование полупроводников: сб. статей / АН СССР, Институт металлургии им. А. А. Байкова; редкол. : Н. Х. Абрикосов (отв. ред.) [и др.]. — М.: Наука, 1982. — 278 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.40.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.