| 51 |
|
Наносекундные процессы при электрическом пробое и разряде в вакууме: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Д. И. Проскуровский; АН СССР, Сиб. отд-ние. — Томск, 1980. — 376 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 342-376.
|
| 52 |
|
Физические принципы электронной микроскопии. Введение в просвечивающую, растровую и аналитическую электронную микроскопию: научное издание / Р. Ф. Эгертон ; пер. с англ. С. А. Иванова. — М.: Техносфера, 2010. — 304 с.: цв.ил. — (Мир физики и техники). — Библиогр.: с. 297-300; Предм. указ.: с. 223-228. — ISBN 978-5-94836-254-0: 583.22.
Растровые и просвечивающие электронные микроскопы стали незаменимыми приборами для исследований в материаловедении, полупроводниковой промышленности, нанотехнологиях, а также в биологии и медицине. В данной монографии излагается введение в теорию и современную практику электронной микроскопии. Книга предназначена для студентов старших курсов, которые хотели бы углубить свои знания об основных физических принципах микроскопии, для молодых специалистов, которые пользуются электронными микроскопами, а также для преподавателей вузов и исследователей.
|
| 53 |
|
Способы исследования поверхности методами атомно-силовой и электронной микроскопии: учеб. пособие / Ю. С. Нагорнов, И. С. Ясников, М. Н. Тюрьков; Тольят. гос. ун-т. — Тольятти: ТГУ, 2012. — 58 с.: ил.; 20 см. — Библиогр.: с. 57-58. — ISBN 978-5-88504-099-0: 30.00.
В учебном пособии представлена современная научная информация о возможностях атомно-силовой и электронной сканирующей микроскопии. Приведены характерные особенности методик атомно-силовой микроскопии, которые позволяют получать дополнительную информацию о ее свойствах. В частности рассмотрены режим фазового контраста, метод Зонда Кельвина, метод латеральных сил. Рассмотрены принцип работы электронного сканирующего микроскопа и примеры реализации различных методик для исследования микроскопических объектов электролитического происхождения. В частности, продемонстрированы методические приемы получения изображений, позволяющие однозначно идентифицировать габитус микрокристаллов, а также способы получения изображений из внутренних поверхностей полостей микрокристаллов.
|
| 54 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 55 |
|
Электронная оптика и электронная микроскопия / П. Хокс ; пер. с англ. И. Ф. Анаскина, А. М. Розенфельда, под ред. И. Г. Стояновой. — Б.м.: Мир, 1974. — 318 с.: ил. — Предм. указ.: с. 315-318. — Библиогр.: с. 296-299. — 1.66.
|
| 56 |
|
Эффект слабых магнитных полей в фазовых превращениях диамагнитных материалов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Постников ; науч. конс. М. Н. Левин, оппоненты: Ю. И. Головин, Ю. Е. Калинин, В. И. Беляев; Воронежский государственный университет (Воронеж), Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (М.), Воронежский государственный технический университет (Воронеж). — Воронеж, 2003. — 32 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.
|
| 57 |
|
Эффективные импульсно-периодические источники черенковского излучения на основе сильноточных электронных пучков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Ростов ; офиц. оппоненты : В. И. Кошелев, А. В. Аржанников, Ю. Г. Юшков; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники, Институт прикладной физики. — Томск, 2001. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-33.
|
| 58 |
|
Генерация трубчатых электронных пучков в источнике с плазменным катодом на основе разряда в скрещенных ExH полях магнетронного типа: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. А. Чагин ; науч. рук.: П. М. Щанин, Е. М. Окс, офиц. оппоненты: С. К. Димитров, А. В. Кожевников; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Томск, 1991. — 15 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 59 |
|
Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.
|
| 60 |
|
Введение в физику полупроводников / Ю. К. Шалабутов; Академия наук СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1969. — 291, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 284-289. — 1.51.
|