Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.

Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

XVII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 30 мая-2 июня 2011 г., Черноголовка: тезисы докладов / Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (XVII ; 30 мая - 2 июня 2011 г. ; Черноголовка) , Научный совет РАН по электронной микроскопии, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Черноголовка), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН (М.), Российский фонд фундаментальных исследований (М.), Jeol, ОПТЭК, ООО "Системы для микроскопии и анализа", Oxford Instruments, Bruker, НТ-МДТ, SPECS, Евротек Дженерал, Энерголаб. — Черноголовка: ИПТМ, 2011. — 279 с.: ил.; 21 см. + 1o=эл. опт. диск (CD-ROM). — Библиогр. в конце докл. — ISBN 978-5-89589-054-7: 90.00.

Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.

К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения / Д. Спенс ; пер с англ. под ред. В. Н. Рожанского. — М.: Наука, 1986. — 320 с.: ил. — Библиогр.: с. 313-320. — 3.70.

Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Вторичные электроны / В. П. Ковалев. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 175 с.: ил. — Библиогр.: с. 175-177. — 1.80.

Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.