Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Самосогласованные модели режимов распространения плазмы электрических разрядов в газах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Ю. К. Бобров ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. А. Рухадзе, Е. А. Литвинов; Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Высоковольтный научно-исследовательский центр, Институт электродинамики АН УССР. — Томск, 1991. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-36.

Динамические структуры в тонком слое магнитодиэлектрического коллоида при воздействии электрического поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. С. Ястребов ; науч. рук. В. М. Кожевников, офиц. оппоненты: В. В. Соколов, В. И. Дроздова; Северо-Кавказский государственный технический университет, Курский государственный технический университет (Курск), Ставропольский государственный университет. — Ставрополь, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.

Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.

Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.