| 101 |
|
Радиационно-термическая активация диффузного массопереноса в оксидной керамике: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. А. Гынгазов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-37.
|
| 102 |
|
Разработка ионно-пучковых методов модификации свойств алюминиевых сплавов на основе использования радиационно-динамических эффектов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Можаровский ; науч. конс. В. В. Овчинников, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Кривобоков, А. В. Козлов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.
|
| 103 |
|
Закономерности формирования гидридного обода в оболоченных трубах из циркониевого сплава Э110 при газофазном наводороживании : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / В. Н. Кудияров ; науч. рук. А. М. Лидер, конс. В. А. Маркелов, офиц. оппоненты: С. А. Никулин, Е. Г. Астафурова; Нац. исслед. Томский политехнич. ун-т, Высокотехнологич. науч.-исслед. ин-т неорганич. материалов им. академика А. А. Бочвара, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2018. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 104 |
|
Исследование дисперсионных свойств компенсированных ускоряющих структур для линейных ускорителей заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / В. В. Парамонов ; науч. рук.: С. К. Есин, В. Г. Андреев, офиц. оппоненты: В. А. Бомко, Н. П. Собенин; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (Л.), Институт ядерных исследований АН СССР (М.), Институт физики высоких энергий (Серпухов). — Л., 1987. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 105 |
|
Физико-химические процессы в емкостных высокочастотных и барьерном разрядах и их электрические и оптические характеристики: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / С. В. Автаева ; науч. конс. Д. К. Оторбаев, офиц. оппоненты : Ю. А. Лебедев, К. В. Руденко, В. М. Шибков; Кыргызско-Российский Славянский университет, Институт сильноточной электроники СО РАН, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. — Бишкек, 2011. — 42 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-42.
|
| 106 |
|
Физика конденсированного состояния: [учебное пособие] / Ю. А. Байков, В. М. Кузнецов ; рец.: Е. В. Юртов, А. Д. Гладун. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2011. — 293 с.: ил.; 22 см. — (Учебник для высшей школы). — Библиогр.: с. 288-293. — ISBN 978-5-9963-0290-1: 330.00.
В учебном пособии помимо традиционно сложившихся разделов физики твердого тела отражены некоторые современные направления науки. такие как физика фотонных кристаллов, наномасштабная физика. фрактальные представления о структуре кристаллических тел. Теоретический материал каждой главы книги дополнен задачами с решениями. Для студентов и аспирантов высших технических учебных заведений, а также преподавателей физики и других естественно-научных дисциплин в технических вузах.
|
| 107 |
|
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур на основе ZnSe-содержащих соединений: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / П. А. Трубенко ; науч. рук.: Е. А. Щербаков, В. И. Козловский, офиц. оппоненты: Ю. Г. Садофьев, М. М. Зверев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр волоконной оптики (М.), Научно-исследовательский институт "Платан". — М., 1999. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 108 |
|
Корреляционные методы измерения скорости и температуры высокоскоростного воздушного потока и реагирующих смесей: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01, 01.04.08 / А. А. Фирсов ; науч. рук. С. Б. Леонов, науч. конс. А. Ф. Александров, офиц. оппоненты : В. В. Голуб, М. А. Гольдфельд; Объединенный институт высоких температур РАН, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. — М., 2011. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.
|
| 109 |
|
Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках: монография / Л. И. Квеглис, В. Б. Кашкин ; отв. ред. В. Ф. Шабанов; Сибирский федеральный университет (Красноярск). — Красноярск: Сибирский федеральный университет, 2011. — 204 с.: ил. — Библиогр.: с. 185-200. — ISBN 978-5-7638-2101-7: 270.00.
Обобщен опыт исследований физических эффектов в диссипативных структурах методами обработки изображений. в том числе с применением преобразования Фурье. Исследованы диссипативные структуры в аморфных и нанокристаллических пленках. Рассмотрено моделирование процессов взрывной кристаллизации и формирующихся атомных структур. Предназначена для специалистов в области материаловедения и физики конденсированного состояния. Может быть полезна аспирантам и студентам, интересующимся электронной микроскопией.
|
| 110 |
|
Квантовый транспорт : от атома к транзистору / С. Датта; пер. с англ. Д. В. Хомицкого; под ред. В. Я. Демиховского. — М.; Ижевск: Институт компьютерных исследований: Регулярная и хаотическая динамика, 2009. — 531 ил. — Библиогр.: с. 524-527. — ISBN 978-5-93972-744-0: 150.00.
Книга С. Датта, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора. Книга рассчитана на научных работников, инженеров, студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники.
|