Эрозия поверхности твердого тела под действием мощных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. А. Блейхер; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.

Структурные дефекты и квантовые точки III-нитридов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Лазарев ; науч. рук. : T. Baumbach, В. В. Лопатин, офиц. оппоненты : В. Н. Брудный, С. Н. Кульков; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Karlsruhe Institute of Technology, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2013. — 17 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Динамика вихревой топологической структуры в объеме отдельной наночастицы титаната бария во внешнем электрическом поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. А. Карпов ; науч. рук. Ю. Ю. Крючков, офиц. оппоненты : В. Я. Шур, Н. А. Емельянов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т, Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.

Люминесценция кислородсодержащих кристаллов фторида лития, активированных ураном, при импульсном возбуждении: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Н. Путинцева ; науч. рук. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Ю. И. Тюрин, Т. С. Шамирзаев; Томский политехнический университет (Томск), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Томск, 2008. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Моделирование тепловой эрозии поверхности твердого тела под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Степанова ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, Ю. П. Шаркеев; Томский политехнический университет (Томск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2009. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Синтез и свойства композиционных нанодисперсных оксидов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Сазонов ; науч. рук. А. И. Пушкарев, офиц. оппоненты : С. Ю. Соковнин, В. Г. Бутов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск). — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Исследование процессов изменения фазового состояния и физико-химических превращений в жидких топливах при воздействии концентрированных потоков светового излучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07, 01.04.14 / О. В. Высокоморная; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2010. — 18 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Диссипативные процессы в высокоомных материалах при высоких уровнях электронного возбуждения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Степанов ; науч. рук. В. Ф. Штанько, офиц. оппоненты : В. Г. Кригер, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина. — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.

Исследование релаксационных процессов, инициируемых наносекундным разрядом в водороде и гелии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Р. Х. Амиров ; науч. рук.: Э. И. Асиновский, В. В. Марковец, офиц. оппоненты: Г. К. Васильев, Ю. П. Райзер; Московский физико-технический институт, Институт высоких температур АН СССР, Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.