Моделирование инициирования и роста разрядных структур в жидких диэлектриках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Карпов ; науч. рук.: А. Л. Куперштох, В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: В. Ф. Климкин, Д. И. Вайсбурд; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН (Новосибирск), Институт электрофизики УРО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2003. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Поведение жидкости и пузырьков в сильных электрических полях применительно к зажиганию импульсного электрического разряда в жидкостях: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. М. Коробейников; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Новосибирск, 1997. — 332 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 290-310.

Самосогласованные модели режимов распространения плазмы электрических разрядов в газах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Ю. К. Бобров ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. А. Рухадзе, Е. А. Литвинов; Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Высоковольтный научно-исследовательский центр, Институт электродинамики АН УССР. — Томск, 1991. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-36.

Самосогласованные модели режимов распространения плазмы электрических разрядов в газах: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Ю. К. Бобров; Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Высоковольтный научно-исследовательский центр. — Истра, 1991. — 361 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 348-361.

Предпробойные явления в жидкостях в квазиоднородном электрическом поле: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Ф. Климкин ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. Я. Ушаков, В. А. Донченко; Новосибирский государственный университет (Новосибирск), Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-39.

Поведение макроскопически неоднородных твердых диэлектриков в сильном электрическом поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Лебедев ; науч. конс. Ю. П. Похолков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. М. Лисицин, А. Г. Овсянников; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — Томск, 2003. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.

Предпробойные явления в жидкостях в квазиоднородном электрическом поле: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Ф. Климкин; Новосибирский государственный университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 237 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 219-237.

Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях [выдержки из текста]: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты : Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2003. — 80 с. — На правах рукописи.