| 1 |
|
Структурные особенности и свойства азотсодержащих тонких пленок диоксида титана, сформированных методом реактивного магнетронного распыления, для применения в медицине : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Пустовалова ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : Л. Л. Мейснер, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|
| 2 |
|
Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Юрьева ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: Н. В. Волков, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 3 |
|
Формирование биосовместимых кальций-фосфатных покрытий методом высокочастотного магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Сурменев ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты: А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Томский политехнический университет (Томск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 4 |
|
Закономерности формирования, структурные особенности и свойства покрытий на основе фосфатов кальция, полученных ВЧ-магнетронным осаждением : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Сурменева ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2012. — 20 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 5 |
|
Формирование градиентных структур TIN/TI/Zr-1Nб вакуумными ионно-плазменными методами для защиты от проникновения водорода: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Б. Кашкаров ; науч. рук. Н. Н. Никитенко, офиц. оппоненты : А. М. Борисов, Г. П. Грабовецкая; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 6 |
|
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 7 |
|
Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 8 |
|
Моделирование процесса лазерного зажигания конденсированных взрывчатых веществ: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ю. Морозова ; науч. рук. В. П. Ципилев, офиц. оппоненты : А. В. Ханефт, Г. В. Кузнецов; Томский политехнический университет, Томский государственный университет, Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики. — Томск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 9 |
|
Закономерности процессов консолидации порошковых систем при изменении условий деформации и физических воздействий : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. С. Двилис ; науч. конс. О. Л. Хасанов, офиц. оппоненты: М. И. Алымов, Л. Б. Зуев, А. И. Потекаев; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2014. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.
|
| 10 |
|
Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.
|