Теоретическое исследование автоэлектронной эмиссии из сверхпроводящих материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.13 / И. В. Уйманов ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: М. В. Медведев, Ю. Д. Панов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Башкирский государственный университет (Уфа). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Исследование и создание элементов системы СВЧ питания сверхпроводящих ускоряющих резонаторов линейного коллайдера TESLA: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20, 01.04.13 / Д. А. Завадцев ; науч. рук. Н. П. Собенин, офиц. оппоненты: В. И. Шведунов, А. И. Карев; Московский инженерно-физический институт (технический университет) (М.), Институт физики высоких энергий (Серпухов). — М., 2003. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Высокочастотные наносекундные генераторы для интроскопии и селективного разрушения твердых тел микронных размеров: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. Р. Корженевский ; науч. рук. А. Л. Филатов, офиц. оппоненты: Н. В. Гаврилов, Г. С. Евтушенко; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Екатеринбург, 2008. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.

Особенности процессов намагничивания и поляризации магниточувствительных эмульсий: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. Р. Закинян ; науч. рук. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты: А. О. Иванов, Ю. А. Ларионов; Ставропольский государственный университет, НИИ механики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова. — Ставрополь, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Эктоны / Г. А. Месяц ; Рос. АН, Уральское отд-ние, Институт электрофизики. — Екатеринбург; : Наука.

Динамические структуры в тонком слое магнитодиэлектрического коллоида при воздействии электрического поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. С. Ястребов ; науч. рук. В. М. Кожевников, офиц. оппоненты: В. В. Соколов, В. И. Дроздова; Северо-Кавказский государственный технический университет, Курский государственный технический университет (Курск), Ставропольский государственный университет. — Ставрополь, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Электро- и магнитооптические эффекты в коллоидных растворах магенетита в жидких диэлектриках и их применение для исследования приэлектродных процессов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / К. В. Ерин ; науч. конс. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : А. О. Иванов, А. Я. Симоновский, Г. В. Шагрова; Ставропольский государственный университет, Санкт-Петербургский государственный университет. — Ставрополь, 2010. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-37.