Моделирование физических процессов в магнитных наноструктурах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / К. А. Звездин ; науч. рук. И. А. Лубашевский, науч. конс. А. Ф. Попков, офиц. оппоненты: В. Г. Шавров, А. А. Мухин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (М.). — М., 2001. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.

Методы и устройства исследования взаимодействия коронного разряда с диэлектрическими барьерами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 / В. П. Марков ; науч. рук. В. П. Шорин, офиц. оппоненты: В. Ф. Путько, Х. Д. Ламажапов; Самарский Государственный аэрокосмический университет им. акад. С. П. Королева (Самара), Государственное унитарное предприятие КБАС (Самара). — Самара, 2001. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Физические явления в неоднородных слаботочных разрядах с лавинными процессами в приэлектродных слоях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Н. И. Трушкин ; офиц. оппоненты: Э. И. Асиновский, Н. В. Гаврилов, О. В. Диянков; Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (Троицк), Институт проблем механики РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2001. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-36.

Подвижность и концентрация носителей заряда тонкого слоя магнитодиэлектрического коллоида в нестационарных режимах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / М. С. Демин ; науч. рук. В. М. Кожевников, офиц. оппоненты: В. Д. Ковалев, М. С. Анфельбаум; Северо-Кавказский государственный технический университет (Ставрополь), Курский государственный технический университет (Курск). — Ставрополь, 2009. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Импульсные потоки в электротермическом ускорителе и их воздействие на элементы конструкции: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Л. А. Суханова ; науч. рук. Э. Я. Школьников, офиц. оппоненты: А. В. Агафонов, А. С. Черненко; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (Троицк). — М., 2005. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.

Поведение систем металл-водород при радиационном воздействии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. П. Черданцев ; науч. конс. И. П. Чернов, офиц. оппоненты : Б. А. Калин, Ю. Р. Колобов, В. П. Кривобоков; Томский политехнический университет (Томск), Российский научный центр "Курчатовский институт" (М.), Институт ядерного синтеза (М.). — Томск, 2005. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.

Моделирование тепловой эрозии поверхности твердого тела под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Степанова ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, Ю. П. Шаркеев; Томский политехнический университет (Томск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2009. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Моделирование эмиссии электронов средних энергий методом Монте-Карло: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. И. Ерин ; науч. рук. В. А. Смоляр, офиц. оппоненты: А. И. Бурханов, Е. Н. Свежинцев; Волгоградский государственный технический университет, Волгоградский государственный университет. — Волгоград, 2010. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Синтез и свойства композиционных нанодисперсных оксидов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Сазонов ; науч. рук. А. И. Пушкарев, офиц. оппоненты : С. Ю. Соковнин, В. Г. Бутов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск). — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.