| 1 |
|
Численное исследование взрывного воздействия при импульсном электрическом пробое твердых тел: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04 / В. В. Буркин ; науч. рук. Т. М. Платова, офиц. оппоненты : А. И. Корнеев, Г. А. Сапожников; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Научно-исследовательский институт высоких напряжений, Институт горного дела СО АН СССР, Институт теоретической и прикладной механики СО АН СССР. — Новосибирск, 1987. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 115-116.
|
| 2 |
|
Некамуфлетный электровзрыв в твердых диэлектриках и разработка генераторов для электроимпульсной технологии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Л. А. Гельфонд ; науч. рук. И. И. Каляцкий, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Г. Е. Ремнев; Томский политехнический институт им. С.М. Кирова (Томск), Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР (Николаев). — Томск, 1987. — 20 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.
|
| 3 |
|
Электрический пробой ионных кристаллов / В. Д. Куликов; Томский сельскохозяйственный институт. — Томск: Издательство Томского университета, 2014. — 146 с.: ил. — Библиогр.: с. 133-141. — ISBN 978-5-7511-2274-4.
В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры. Для специалистов в области высоковольтной импульсной техники, электрической изоляции, физики диэлектриков и полупроводников, студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 4 |
|
Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.
|
| 5 |
|
Поведение жидкости и пузырьков в сильных электрических полях применительно к зажиганию импульсного электрического разряда в жидкостях: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. М. Коробейников; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Новосибирск, 1997. — 332 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 290-310.
|
| 6 |
|
Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков / Ю. Н. Вершинин ; отв. ред. Ю. А. Котов; Рос. АН, Институт электрофизики УрО РАН. — Екатеринбург: УрО РАН, 2000. — 258 с.: ил. — Библиогр.: с. 245-255. — ISBN 5-7691-1023-6: 8.15.
|
| 7 |
|
Макроскопическая кинетика фазовых превращений в условиях импульсного нагрева металла током: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Я. Г. Эпельбаум ; науч. рук.: А. З. Паташинский, А. М. Искольдский, офиц. оппоненты: С. И. Анисимов, В. С. Львов; Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР (Новосибирск), Институт высоких температур (М.). — Новосибирск, 1978. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 8 |
|
Кинетика хрупкого разрушения материалов в электрических и механических полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. В. Жога ; науч. конс. В. В. Шпейзман, оппоненты: В. И. Бетехтин, М. Ю. Гуткин, В. Ю. Тополов; Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет (Волгоград), Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб., 2005. — 33 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-33.
|
| 9 |
|
Феноменологические основы импульсного электрического нагрева металлов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Новосибирск; Томск, 1985. — 218 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 211-218.
|
| 10 |
|
Физика пористых структур / С. О. Гладков ; Рос. АН, Ин-т химической физики им. Н. Н. Семенова. — М.: Наука, 1997. — 175 с.: ил. — ISBN 5-02-004446-6: 22.60.
|