| 71 |
|
Исследование диссоциации многоатомных молекул в сильном ИК поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / Е. А. Рябов ; науч. рук. В. С. Летохов, офиц. оппоненты: Н. В. Карлов, В. Т. Платоненко; Институт спектроскопии АН СССР, Институт химической физики АН СССР. — М., 1976. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 72 |
|
Формирование периодических структур при направленной кристаллизации, лазерной обработке и осаждении / С. А. Астапчик, Н. А. Береза ; рец.: Н. А. Фомин, О. Г. Пенязьков; Физико-технический институт НАН Беларуси (Минск). — Минск: Беларуская навука, 2009. — 239 с.: ил.; 20 см. — Библиогр.: с. 241-248. — ISBN 978-985-08-0985-8: 180.50.
В монографии проведен критический анализ своих теоретических и экспериментальных данных, данных зарубежных источников по проблеме устойчивости плоской поверхности расплав-кристалл в условиях кристаллизации бинарных сплавов в равновесных и неравновесных условиях. Рассматриваются история и генезис развития теории устойчивости плоского фронта кристаллизации. Рассчитываются параметры и их критические значения, управляющие сменой морфологии фронта кристаллизации. Предложены математические модели по исследованию роли в формировании ячеистой структуры кристаллизующегося сплава концентрационно-капиллярной и термокапиллярной конвекций. Книга предназначена для научных работников, аспирантов вузов и НИИ, студентов для более углубленного изучения вопросов теории и практики по направленной кристаллизации и лазерной обработке.
|
| 73 |
|
Оптогальванический эффект в ионизированном газе / В. Н. Очкин, Н. Г. Преображенский, Н. Я. Шапарев; АН СССР, Сиб. отд-ние, Красноярский вычислительный центр. — М.: Наука, 1991. — 159 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-02-000141-4: 4.30.
|
| 74 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|
| 75 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1980. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 76 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1978. — 128 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
| 77 |
|
Взаимодействие и преобразование спектра волн в нелинейных периодических структурах: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.03 / Ю. К. Богатырев ; офиц. оппоненты: В. А. Зверев, С. А. Ахманов, Г. М. Уткин; Горьковский науч.-исслед. радиофизический ин-т, Горьковский политехнический ин-т им. Жданова. — Горький, 1982. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-26.
|
| 78 |
|
УФ и ИК импульсно-периодические электроразрядные лазеры с магнитными переключателями: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / С. К. Вартапетов ; науч. рук.: В. И. Конов, В. С. Букреев, офиц. оппоненты: В. М. Борисов, Н. И. Липатов; Институт общей физики АН СССР, Институт оптики атмосферы СО АН СССР. — М., 1988. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.
|
| 79 |
|
Особенности взаимодействия электронов и позитронов с твердым телом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Цехановский ; науч. рук.: А. А. Воробьев , С. А. Воробьев , офиц. оппоненты: Б. А. Кононов , А. Ф. Аккерман; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1974. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 80 |
|
Исследование энергетических и временных характеристик фрагментации вторичных кластерных ионов тантала: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / И. В. Веревкин ; науч. рук. Н. Х. Джемилев, офиц. оппоненты: В. Т. Черепин, Э. Г. Назаров; Институт электроники им. У. А. Арифова АН Республики Узбекистан (Ташкент), Ташкетский государственный университет (Ташкент). — Ташкент, 1993. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|