| 11 |
|
Перенос энергии электронного возбуждения от ионов хрома к ионам неодима, тулия и гольмия в кристаллах скандиевых гранатов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / И. Т. Сорокина ; науч. рук.: И. А. Щербаков, В. А. Смирнов, офиц. оппоненты: Б. И. Денкер, С. К. Пак; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт ядерной физики (М.). — М., 1992. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-24.
|
| 12 |
|
Исследование анизотропии нелинейного поглощения в кристаллах LiF:F2-, ИАГ:Cr4+ и ИАГ:V3+: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Кирьянов ; науч. рук. Н. Н. Ильичев, офиц. оппоненты: В. А. Смирнов, А. И. Ерохин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Научно-исследовательский институт ядерной физики (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1995. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 13 |
|
Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 / К. П. Арефьев ; науч. рук.: А. А. Воробьев, С. А. Воробьев, офиц. оппоненты: В. Е. Панин, Е. П. Прокопьев; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Институт физической химии АН СССР (М.). — Томск, 1974. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 14 |
|
Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.
|
| 15 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 16 |
|
Особенности переноса энергии электронного возбуждения между ионами хрома и редкоземельных элементов в кристаллах гранатов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Ю. С. Привис ; науч. рук. И. А. Щербаков, офиц. оппоненты: В. И. Жеков, А. М. Онищенко; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1998. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 17 |
|
Исследование процессов ионизации разреженных газов, инициированных излучением гигаваттного CO2-лазера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Н. Н. Кононов ; науч. рук. Г. П. Кузьмин, офиц. оппоненты: И. К. Красюк, В. Д. Зворыкин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), НИХФИ. — М., 1994. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-26.
|
| 18 |
|
Особенности излучения релятивистских электронов и позитронов при (111) плоскостном каналировании в тонких кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / О. В. Богданов ; науч. рук. Ю. Л. Пивоваров, офиц. оппоненты: В. А. Бордовицын, В. Я. Эпп; Томский политехнический университет (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 19 |
|
Спектральные, люминесцентные и генерационные свойства кристаллов иттрий-алюминиевого граната, содержащих ионы четырехвалентного хрома: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Г. Охримчук ; науч. рук. А. В. Шестаков, офиц. оппоненты: Ю. К. Воронько, А. М. Ткачук; Институт общей физики АН СССР, Научно-исследовательский институт "Полюс", Институт радиоэлектроники АН СССР. — М., 1991. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 20 |
|
Изменение свойств монокристаллов Si и Ge и приборов, изготовленных на их основе, под действием импульсов СВЧ поля : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. Е. Абдурахимов ; науч. рук.: Ф. Х. Хакимов, В. П. Калинушкин, офиц. оппоненты: Г. Н. Михайлова, И. С. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1992. — 11 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 9-11.
|