Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук. С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Генерация мощных ионных пучков в системах с плазмоэрозионным размыкателем: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. А. Синебрюхов ; науч. рук. В. М. Быстрицкий, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. И. Сметанин; Институт электрофизики УрО АН СССР, Харьковский физико-технический институт АН УССР. — Томск, 1987. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 9-10.

Разработка методов расчета и анализ магнитных фокусирующих систем с насыщением: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Л. Меркулов ; науч. рук. С. И. Молоковский, офиц. оппоненты: Б. П. Ильин, В. И. Балекин; Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (Л.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова. — Л., 1986. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13.

Генерация трубчатых электронных пучков в источнике с плазменным катодом на основе разряда в скрещенных ExH полях магнетронного типа: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. А. Чагин ; науч. рук.: П. М. Щанин, Е. М. Окс, офиц. оппоненты: С. К. Димитров, А. В. Кожевников; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Томск, 1991. — 15 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Характеристики плазмы и эмиссионной системы источника электронов на основе отражательного разряда с полым катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / И. В. Осипов ; науч. рук.: В. А. Груздев, Н. Г. Ремпе, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. Н. Коваль; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Томск, 1993. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.

Разработка и исследование электродинамической системы релятивистского клистрона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / С. М. Морозов ; науч. рук. А. Д. Григорьев, офиц. оппоненты: Ю. Л. Бобровский, И. Р. Кузнецов; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (СПб.), Институт энергетики и автоматики АН Республики Узбекистан, Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — СПб., 1993. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.

Физические процессы в мощных сверхвысокочастотных электронных системах с магнитной изоляцией: автореферат дис. ... д-ра. физ.-мат. наук : 01.04.03, 05.27.02 / В. Е. Нечаев ; офиц. оппоненты: А. М. Кац, А. Н. Лебедев, Д. И. Трубецков; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского (Саратов), Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Саратов, 1992. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.

Устойчивость и эмиссионные свойства газоразрядных структур с осциллирующими электронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / С. П. Никулин ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты: В. А. Груздев, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Институт электрофизики УрО АН СССР, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — Томск, 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Нестационарная модель катодных и прикатодных процессов вакуумной дуги: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Г. Парфенов ; офиц. оппоненты: Ю. И. Вершинин, А. К. Чирков, А. В. Лучинский; Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова (Екатеринбург), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — Екатеринбург, 1992. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.