Взрывоэмиссионные источники широкоапертурных электронных пучков микросекундной длительности: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Э. Н. Абдуллин ; офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. Л. Филатов, Ю. Н. Новоселов; Институт сильноточной электроники СО РАН, Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова. — Томск, 2007. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-38.

Процессы при переходе тока сильноточной вакуумной дуги через ноль: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Шнайдер ; науч. рук. А. В. Батраков, офиц. оппоненты: А. Г. Овсянников, И. В. Уйманов; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Новосибирский гос. техн. ун-т. — Томск, 2016. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для азотирования титана: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / Ю. Х. Ахмадеев ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, И. Б. Степанов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. В. Гаврилов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 2000. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Теоретические и экспериментальные основы проектирования технологических газоразрядных источников электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / И. В. Мельник ; науч. конс. С. В. Денбновецкий, офиц. оппоненты: А. А. Гончаров, А. А. Новиков, Н. И. Гречанюк; Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт". — Киев, 2008. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-36.

Электронные ускорители с эмиттером на основе дугового разряда низкого давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / В. С. Толкачев ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты: В. Л. Чахлов, В. Т. Барченко; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова. — Томск, 1988. — 18 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.

Генераторы низкотемпературной плазмы на основе разряда низкого давления с инжекцией электронов из дугового контрагированного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / М. В. Шандриков ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: П. М. Щанин, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2004. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Генерация низкотемпературной плазмы в сильноточном несамостоятельном тлеющем разряде с полым катодом: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / В. В. Денисов ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. С. Климов; Ин--т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. — Томск, 2018. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Динамика полевых эмиссионных процессов в статических и СВЧ полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02 / Л. М. Баскин ; офиц. оппоненты: В. Г. Багров, В. В. Владимиров, А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Ленинградский электротехнический институт связи им. М. А. Бонч-Бруевича (Л.), Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.). — Томск, 1990. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-32.

Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2007. — 210 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 196-210.