| 21 |
|
Исследование разряда в скрещенных полях в неоне: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Сасин ; науч. рук. С. Д. Вагнер, офиц. оппоненты : Л. Д. Цендин, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 22 |
|
Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фелдман, Д. Майер ; пер. с англ. под ред. В. В. Белошицкого. — М.: Мир, 1989. — 342, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001017-3: 3.70.
|
| 23 |
|
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 24 |
|
Всесоюзное совещание по физике электрического пробоя газов (Махачкала, 6-9 сентября 1982 г.): тезисы докладов / Дагестанский гос. ун-т им. В. И. Ленина. — Махачкала, 1982. — 97 с.
Первое Всесоюзное совещание по электрическому пробою газов высокого давления посвящено электрическому пробою и развитию разряда в газах высокого давления, порядка атмосферного, причем основное внимание уделяется разрядам в сильных импульсных либо стационарных электрических полях. Такие разряды как самостоятельные, так и несамостоятельные играют важную роль в коммутаторах больших токов, мощных источниках света, используемых для накачки оптических квантовых генераторов и, наконец, часто используются как активное вещество в мощных газовых оптических квантовых генераторах. Этими приложениями объясняется пристальное внимание ученых многих специальностей к электрическим разрядам в газах высокого давления. Это внимание в последние годы сильно возросло в связи с появлением в руках ученых приборов с высоким пространственным и временным разрешением. Естественно, появились новые результаты, которые заставили пересмотреть основы классической теории пробоя Мика и Крекса, появились новые механизмы развития разряда, зарождается новая теория.
|
| 25 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00. |
| 26 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
|
| 27 |
|
Форвакуумный плазменный источник ленточного электронного пучка для пучково-плазменной модификации диэлектриков: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / В. Т. Чан ; науч. рук. А. С. Климов, офиц. оппонеты : Ю. П. Шаркеев, А. С. Каменецкий; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т физического материаловедения СО РАН (Улан-Удэ). — Томск, 2022. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 28 |
|
Исследование прикатодных областей тлеющего разряда в гелии и азоте: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. И. Прохорова ; науч. рук. А. Г. Слышов, офиц. оппоненты : Н. А. Тимофеев, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2012. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
|
| 29 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2001. — 186 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 170-183.
|
| 30 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|