| 101 |
|
Рост кристаллов / АН СССР, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова. — М.; : Наука.
:. — М.: Наука, 1983. — 175 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10.
|
| 102 |
|
Спектроскопия лазерных кристаллов с ионной структурой: сб. статей / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; отв. ред. Д. В. Скобельцын. — М.: Наука, 1972. — 149 с.: ил. — (Труды физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР). — Библиогр. в конце ст. — 0.77. |
| 103 |
|
Жидкие кристаллы / С. Чандрасекар ; пер. с англ. Л. Г. Шалтыко, под ред. А. А. Веденова, И. Г. Чистякова. — М.: Мир, 1980. — 344 с.: ил. — Библиогр.: с. 340. — 2.20.
|
| 104 |
|
Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия: учеб. для студ. вузов, обуч. по спец. "Физика металлов", "Металловедение , оборудование и технология термической обработки металлов" / Я. С. Уманский [и др.]. — М.: Металлургия, 1982. — 630 с.: ил. — Библиогр.: с.628-630. — 1.40.
Приведены необходимые для применения дифракционных методов сведения по кристаллографии. Рассмотрены теоретические основы и практическое использование дифракции рентгеновских лучей, электронов и нейтронов для изучения структуры кристаллов и металлических материалов. Изложены принципы и применение просвечивающей, дифракционной и растровой электронной микроскопии. Описаны методы локального элементного анализа, основанные на различных видах взаимодействия быстрых электронов с веществом. Учебник предназначен для студентов металлургических и политехнических вузов, специализирующихся в области металлофизики, металловедения и физико-химических исследований материалов. Может быть полезен инженерам исследователям, работающим в области металлофизики, физического металловедения и физико-химических исследований, технологии производства и обработки металлических материалов.
|
| 105 |
|
Радиационное дефектообразование в электрических полях. Арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков; Томский политехнический университет. — Новосибирск: Наука, 2001. — 136 с.: ил. — Библиогр.: с. 122-134. — ISBN 5-02-031919-8: 40.00.
|
| 106 |
|
Физика твердого тела. Лабораторный практикум : учеб. пособие для вузов : в 2-х т. — М.; : Высшая школа.
: Физические свойства твердых тел / А. Н. Сысоев [и др.] ; под ред. А. Ф. Хохлова. — 2-е изд., исправ. — М.: Высшая школа, 2001. — 484 с.: ил. — ISBN 5-06-004022-4: 118.50.
|
| 107 |
|
Акустическая микроскопия: монография / Р. Г. Маев. — М.: Торус Пресс, 2005. — 383 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 326-379. — ISBN 5-94588-031-0: 150.00.
В книге последовательно изложены принципы сканирующей акустической микроскопии - нового перспективного направления в развитии физических методов исследования микроструктуры материалов самой различной природы. Подробно излагаются особенности нового направления. различные применения, преимущества и границы применимости. В книге отражен современный уровень научных исследований в этой области. включая ряд разделов физической акустики и ультразвука, физики твердого тела, характеризации материалов и неразрушающего контроля. Книга рассчитана на широкий круг специалистов, а также может быть использована в качестве учебного пособия для аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 108 |
|
Электронная структура соединений с сильными корреляциями: научное издание / Ю. А. Изюмов, В. И. Анисимов. — М.: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", 2008. — 376 с.: граф. — Библиогр.: с. 346-375. — ISBN 978-5-93972-695-5: 685.10.
Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем. Книга рассчитана на широкий круг читателей: физиков-теоретиков и экспериментаторов, исследующих сильно коррелированные системы. Она будет полезна для студентов, аспирантов и всех тех, кто хочет ознакомиться с актуальной областью физики твердого тела.
|
| 109 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 110 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |