| 1 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ. / М. Ланно, Ж. Бургуэн ; пер. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина ; под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1984. — 263 с.: ил. — Предм. указ.: с. 254-259. — Библиогр.: с. 248-253. — 2.30.
Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 2 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 298-300. — Библиогр.: с. 289-297. — 2.70.
|
| 3 |
|
Вопросы теории дефектов в кристаллах: сб. науч. тр. / АН СССР, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Науч. совет по физике твердого тела Междуведомств. координацион. совета в Ленинграде; отв. ред. : С. В. Вонсовский, М. А. Кривоглаз. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1987. — 175 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 1.70. |
| 4 |
|
Теория твердого тела / У. Харрисон ; пер. с англ. Г. Л. Краско ; под ред. Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1972. — 616 с.: ил. — Предм. указ.: с. 610-613. — 6.58.
|
| 5 |
|
Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах / В. В. Немошкаленко, Ю. Н. Кучеренко; АН УССР, Институт металлофизики. — Киев: Наукова Думка, 1986. — 296 с.: ил. — Предм. указ.: с. 293-295. — Библиогр.: с. 274-291. — 3.60.
|
| 6 |
|
Привлечены динамические уравнения полевой теории дефектов для анализа закономерностей ползучести, что позволило получить ряд интересных результатов, часть из которых согласуется с известными экспериментальными данными, другие являются принципиально новыми. В частности, установлен факт существования критического значения приложенного напряжения и неустойчивой стационарной скорости ползучести, которые разделяют режимы устойчивой и неустойчивой ползучести и могут иметь важное практическое значение.
|
| 7 |
|
Реферативный журнал. 18. Физика / ВИНИТИ. — 1954-. — М.: ВИНИТИ РАН, 1954-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — ISSN 0034-2343. |
| 8 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20.
|
| 9 |
|
Статистическая физика твердого тела / Л. Жирифалько ; пер. с англ. А. В. Ведяева, Ю. Г. Рудого, под ред. В. З. Кресина, Б. М. Струнина. — М.: Мир, 1975. — 382 с.: ил. — Предм. указ.: с. 376-379. — Библиогр.: с. 373-375. — 1.68.
|
| 10 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |