| 31 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ. / М. Ланно, Ж. Бургуэн ; пер. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина ; под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1984. — 263 с.: ил. — Предм. указ.: с. 254-259. — Библиогр.: с. 248-253. — 2.30.
Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 32 |
|
Электрический пробой ионных кристаллов / В. Д. Куликов; Томский сельскохозяйственный институт. — Томск: Издательство Томского университета, 2014. — 146 с.: ил. — Библиогр.: с. 133-141. — ISBN 978-5-7511-2274-4.
В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры. Для специалистов в области высоковольтной импульсной техники, электрической изоляции, физики диэлектриков и полупроводников, студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 33 |
|
Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. и физико-техн. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич [и др.]. — М.: Наука, 1981. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 381-383. — 1.00. |
| 34 |
|
Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками / Ф. Г. Басс, А. А. Булгаков, А. П. Тетервов. — М.: Наука, 1989. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — ISBN 5-02-014021-X: 4.30.
|
| 35 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 36 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
|
| 37 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
|
| 38 |
|
Исследования по физике кинетических явлений: сб. ст. / АН СССР, Урал. науч. центр; отв. ред. Г. Г. Талуц. — Свердловск: УНЦ АН СССР, 1984. — 133 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50. |
| 39 |
|
Нелинейные волновые взаимодействия в оптике и радиофизике / А. П. Сухоруков. — М.: Наука, 1988. — 231 с.: ил. — Библиогр.: с. 223-231. — ISBN 5-02-013842-8: 3.40.
|
| 40 |
|
Поликластерные аморфные тела / А. С. Бакай. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 189-192. — ISBN 5-283-03752-5: 2.60.
|