| 1 |
|
Физика полупроводников / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Предм. указ.: с. 600-611. — Библиогр. в конце глав. — 2.90.
|
| 2 |
|
Светодиоды / А. Берг, П. Дин ; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 686 с.: ил. — Предм. указ.: с. 677-682. — Библиогр. в конце глав. — 3.40.
|
| 3 |
|
Полупроводниковая электроника : межвуз. сб. / под ред. В. В. Пасынкова.
:. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1974. — 181 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.93.
|
| 4 |
|
Электроника твердого тела: учеб. пособие / Е. В. Нефёдцев; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2017. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 159. — ISBN 978-5-94458-165-5: 299.72.
В первой главе пособия кратко изложены основы кристаллографии. Во второй главе даны физические основы электроники твердого тела. В последующих четырех главах изложены ключевые вопросы физики полупроводников: равновесная статистика электронов и дырок, перенос носителей заряда, контактные явления и явления в сильных электрических полях. Для аспирантов и студентов.
|
| 5 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54. |
| 6 |
|
Полупроводниковые сверхрешетки / М. А. Херман ; пер. с англ. А. Я. Шика. — М.: Мир, 1989. — 240 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001015-7: 2.60.
|
| 7 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20.
|
| 8 |
|
Метод МБР в квантовой электронике и лазерное разрушение: сб. статей / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; гл. ред. Н. Г. Басов, отв ред. тома А. М. Прохоров. — М.: Наука, 1982. — 192 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР). — Библиогр. в конце статей.
Методом МБР изучены упругие и фотоупругие свойства и рэлеевское рассеяние ряда оптических и лазерных стекол, обнаружена связь рэлеевского рассеяния и эффективности межионных взаимодействий в стеклах, исследованы потери и поляризация света в световодах. Исследованы частотная и температурная зависимости порогов лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов. Разработана методика и проведены исследования обьемного лазерного разрушения ряда полупроводников, непрозрачных в видимой области спектра. Книга предназначена для специалистов в области квантовой электроники, волоконно-оптической связи, физики твердого тела и молекулярной оптики.
|
| 9 |
|
Квантовая электроника / А. Ярив ; пер с англ. под ред. Я. И. Ханина. — 2-е изд. — М.: Советское радио, 1980. — 488 с.: ил. — Предм. указ.: с. 482. — Библиогр.: с. 463-482. — 2.70.
|
| 10 |
|
Электронные свойства двумерных систем / Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн ; пер. с англ. О. И. Лойко, А. Я. Шика, под ред. Ю. В. Шмарцева. — М.: Мир, 1985. — 415 с.: ил. — Библиогр.: с. 353-411. — 6.30.
|