| 1 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 2 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
|
| 3 |
|
Полупроводниковая электроника : межвуз. сб. / под ред. В. В. Пасынкова.
:. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1974. — 181 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.93.
|
| 4 |
|
Ионная и лазерная имплантация металлических материалов / Ю. А. Быковский, В. Н. Неволин, В. Ю. Фоминский. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 237 с.: ил. — Библиогр.: с. 232-236. — ISBN 5-283-03921-8: 2.80.
|
| 5 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|
| 6 |
|
Low-energy ion irradiation of solid surfaces / H. Gnaser. — Berlin: Springer, 1999. — 293 с.: ill. — (Springer tracts in modern physics, 0081-3869). — Ind.: p. 291-293. — Bibliogr.: p. 261-289. — ISBN 3-540-65007-5: 392.00.
|
| 7 |
|
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
|
| 8 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 9 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |
| 10 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|