| 1 |
|
Квантовые процессы в полупроводниках / Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. — М.: Мир, 1986. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.00.
|
| 2 |
|
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
|
| 3 |
|
Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: учеб. пособие для студ. физ. и электрофиз. фак. вузов / В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк, М. Терек. — Киев; Одесса: Вища школа, 1982. — 151 с.: ил. — Библиогр.: с. 147. — 0.40.
|
| 4 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 5 |
|
Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / А. В. Ржанов [и др.] ; отв. ред. А. В. Ржанов; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. — М.: Наука, 1976. — 279 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.15. |
| 6 |
|
Multiple Scattering in Solids / A. Gonis, W. H. Butler. — New York: Springer, 2000. — 285 с.: ill. — (Graduate Texts in Contemporary Physics ). — Ind.: p. 283-285. — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 0-387-98853-X: 2798.25.
|
| 7 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 8 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
|
| 9 |
|
Квантовый транспорт : от атома к транзистору / С. Датта; пер. с англ. Д. В. Хомицкого; под ред. В. Я. Демиховского. — М.; Ижевск: Институт компьютерных исследований: Регулярная и хаотическая динамика, 2009. — 531 ил. — Библиогр.: с. 524-527. — ISBN 978-5-93972-744-0: 150.00.
Книга С. Датта, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора. Книга рассчитана на научных работников, инженеров, студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники.
|
| 10 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|