21 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
22 |
|
Основы физики конденсированного вещества: научное издание / Н. Б. Делоне. — Москва: Физматлит, 2011. — 233 с.: ил.; 22 см. — Библиогр. в конце лекций. — ISBN 978-5-9221-1261-1: 528.00.
В книге кратко излагаются основы физики конденсированных сред, физики поверхности, являющейся одним из краеугольных камней столь модных сегодня нанотехнологий. При этом выдержан удачный баланс между экспериментом и теорией. Для теоретического объяснения экспериментальных данных широко использована квантовая физика. Четко прослежены общие свойства различных форм существования конденсированных сред. Обсуждаются переходные состояния между различными формами, а также основные физические законы, единые для всех форм вещества. Для студентов старших курсов университетов, а также аспирантов, молодых специалистов и инженеров.
|
23 |
|
Введение в мезоскопическую физику / Й. Имри ; пер. с англ. С. А. Булгадаева [и др.] ; под ред. А. С. Иоселевича. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 271-304. — ISBN 5-9221-0247-8: 651.50.
|
24 |
|
Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов / А. Л. Суворов. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 296 с.: ил. — Библиогр.: с. 289-295. — ISBN 5-283-03731-2: 4.40.
|
25 |
|
Электрические и оптические свойства полупроводников: сб. ст. / АН СССР, Дагистанский филиал, Институт физики; редкол. : Х. И. Амирханов [и др.]. — Махачкала, 1980. — 162 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.68.
|
26 |
|
Аморфные полупроводники / М. Бродски [и др.] ; под ред. М. Бродски, пер. с англ. под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. — М.: Мир, 1982. — 419 с.: ил. — (Проблемы прикладной физики). — Предм. указ.: с. 415-416. — Библиогр. в конце глав. — 4.00.
|
27 |
|
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах / Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. — М.: Наука, 1989. — 263 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-261. — ISBN 5-02-014026-0: 4.10.
|
28 |
|
Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии / В. Г. Лифшиц, Ю. В. Луняков; Рос. АН, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления. — Владивосток: Дальнаука, 2004. — 315 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-8044-0454-7: 50.00.
|
29 |
|
Квантовые жидкости и кристаллы: сб. статей / пер. с англ. Ю. Д. Ануфриева, Ю. К. Джикаева, под ред. А. С. Боровика-Романова. — М.: Мир, 1979. — 336 с.: ил. — (Новости фундаментальной физики). — Библиогр. в конце ст. — 2.60.
|
30 |
|
Кинетика образования новой фазы / М. Фольмер ; пер.с нем. К. М. Горбуновой, под ред. К. М. Горбуновой, А. А. Чернова. — М.: Наука, 1986. — 205 с.: ил. — Предм. указ.: с. 202-205. — Библиогр.: с. 198-201. — 2.00.
|