В монографии рассматриваются вопросы изучения различных аспектов взаимодействия электронного зонда с сегнетоэлектрическими материалами, а также возможности их использования для формирования изображений доменной структуры сегнетоэлектриков методами растровой электронной микроскопии. Приводятся результаты исследований инжекционных, радиационно-стимулированных и тепловых эффектов, возникающих в полярных диэлектриках при облучении электронами средних энергий. Описаны методы контроля процессов накопления и релаксации инжектированных зарядов в поверхностном слое сегнетоэлектриков. Представлены анализ и теоретическое обоснование новой аналитической методики электронного зондирования сегнетоэлектриков - режима электронно-стимулированных поляризационных токов. Рассматривается метод визуального наблюдения распределения по поверхности активности скачков Баркгаузена. Приведены результаты моделирования взаимодействия электронных пучков с активными материалами. Монография предназначена для специалистов, работающих в области сегнетоэлектричества, а также растровой электронной микроскопии.

Пособие посвящено основам физики взаимодействия излучения с веществом, в котором существенную роль играют резонансные процессы. Дано изложение основных понятий, необходимых для понимания и количественного описания фотопроцессов в монохроматических и бихроматических полях, а также когерентных оптических явлений. Приведены эксперименты последнего времени по когерентному фазовому контролю радиационных явлений при взаимодействии бихроматического излучения с атомами и наноструктурами. Рассмотрены особенности фемтосекундного фотонного эха на нанокристаллах. Дана теория столкновительно-излучательных процессов с учетом поляризационного канала, включая резонансный тормозной эффект и излучение релятивистских частиц на нанокластерах. Представленный материал закладывает необходимый фундамент для научно-исследовательской и инновационной деятельности в области высокотехнологичных применений лазерной физики и квантовой электроники. Предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся к области физической и квантовой электроники, лазерной физики и смежных дисциплин.

Основу настоящего сборника составляют доклады молодых ученых и специалистов из различных городов СССР, которые были прочитаны в Институте физики им. Л. В. Киренского в декабре 1969 года. Доклады сгруппированы по разделам, отражающим основные направления дискуссий. Они представляют интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в соответствующих областях. Сборник издается по инициативе Совета молодых ученых Института физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР.

В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры. Для специалистов в области высоковольтной импульсной техники, электрической изоляции, физики диэлектриков и полупроводников, студентов старших курсов соответствующих специальностей.