| 1 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20.
|
| 2 |
|
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 279-286. — ISBN 5-283-03998-6: 3.30.
|
| 3 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |
| 4 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 298-300. — Библиогр.: с. 289-297. — 2.70.
|
| 5 |
|
Лазерная оптоакустика / В. Э. Гусев, А. А. Карабутов. — М.: Наука, 1991. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 294-304. — ISBN 5-02-014172-0: 4.50.
|
| 6 |
|
Взаимодействие экситонов с лазерным излучением / АН Республики Молдова, Ин-т прикл. физики; редкол. : С. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1991. — 173 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-376-00991-2: 3.26. |
| 7 |
|
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
|
| 8 |
|
Физика полупроводников / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Предм. указ.: с. 600-611. — Библиогр. в конце глав. — 2.90.
|
| 9 |
|
Высокоэнергетическая электроника / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30. |
| 10 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1978. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|