| 51 |
|
Оптика ферромагнитных наносистем / Ю. Ф. Головнев, А. Б. Лаковцев; Тул. гос. пед. ун-т им. Л. Н. Толстого. — Тула: Издательство ТГПУ, 2012. — 272 с.: ил.; 20 см. — Библиогр.: с. 268-270. — ISBN 978-5-87954-671-2: 91.00.
В монографии представлены теоретические и экспериментальные результаты исследований оптических свойств ферромагнитных кристаллов и наноразмерных гетеросистем на основе ферромагнитных полупроводников, полученные за последнее время; показаны современные методы анализа взаимодействия излучения с магнитоупорядоченными средами, особенности поглощения света сверхрешетками, в состав которых входят нанослои халькогенидов европия. Много внимания уделено вопросам применения этих материалов в современной оптоэлектронике и зарождению нового научного направления - экситоники. Особенно детально анализируются условия образования межъямных и межъбарьерных экситонов высокой плотности вплоть до образования из них бозе-конденсата. В работе приведен обширный литературный материал по всем рассмотренным вопросам. Монография представляет интерес для научных работников, аспирантов и студентов, интересующихся вопросами физики наноразмерных ферромагнитных гетеросистем.
|
| 52 |
|
Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Алф. указ.: с. 343-345. — Библиогр.: с. 346-348. — 1.10.
|
| 53 |
|
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках / Ф. Г. Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич. — М.: Наука, 1984. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — 3.00.
|
| 54 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
|
| 55 |
|
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
|
| 56 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 57 |
|
Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками / В. М. Галицкий, В. Ф. Елесин. — М.: Энергоатомиздат, 1986. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 183-189. — 2.40.
|
| 58 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20.
|
| 59 |
|
Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках / Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, В. Л. Стрижевский; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1989. — 374 с.: ил. — Библиогр.: с. 347-371. — ISBN 5-12-000503-9: 5.90.
|
| 60 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |