| 11 |
|
Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах / под ред. Н. Н. Сирота. — Минск: Наука и техника, 1972. — 456 с.: ил., граф. — Библиогр. в конце глав. — 2.52. |
| 12 |
|
Физика твердого тела [Текст] / Рос. акад. наук, Отделение физических наук РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. — 1959-. — М.; СПб.: Наука, 1959-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — Схема доступа: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftt/. — ISSN 0367-3294. |
| 13 |
|
Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов ; под ред. В. М. Тучкевича. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1977. — 366, [2] с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 357-363. — 1.43.
|
| 14 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1990. — 685 с.: ил. — Библиогр.: с. 677-681. — ISBN 5-02-014032-5: 2.00.
|
| 15 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1977. — 672 с.: ил. — Библиогр.: с. 666-669. — 1.70.
|
| 16 |
|
Взаимодействие экситонов с лазерным излучением / АН Республики Молдова, Ин-т прикл. физики; редкол. : С. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1991. — 173 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-376-00991-2: 3.26. |
| 17 |
|
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 279-286. — ISBN 5-283-03998-6: 3.30.
|
| 18 |
|
Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М.: Энергия, 1979. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 160-165. — 0.50.
|
| 19 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 20 |
|
Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Орловский ; науч. конс. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. М. Дианов, Е. Ф. Кустов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — М., 1998. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.
|