| 81 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1978. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
| 82 |
|
|
| 83 |
|
Связь между структурными переходами на поверхности и в объеме кристаллов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. С. Вещунов ; оппоненты: В. Е. Егорушкин, Л. А. Максимов, А. В. Чаплик; Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН, Московский институт стали и сплавов (М.), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1992. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-36.
|
| 84 |
|
Поликластерные аморфные тела / А. С. Бакай. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 189-192. — ISBN 5-283-03752-5: 2.60.
|
| 85 |
|
Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах: научное издание / М. А. Кривоглаз ; отв. ред. К. В. Чуистов, рец.: А. М. Косевич, Л. В. Тихонов; Институт металлофизики АН УССР (Киев). — Киев: Наукова Думка, 1984. — 288 с. — Библиогр.: с. 270-285. — 3.50.
В монографии с помощью метода флуктуационных волн рассмотрено рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях концентрации и параметров порядка в твердых растворах, однокомпонентных упорядочивающихся кристаллах и системах, находящихся вблизи точек фазового перехода второго рода. Проанализирована информация об этих системах, которая может быть получена с помощью дифракционных исследований. Изложен ряд общих вопросов строения твердых растворов, теории фазовых переходов и флуктуаций в рассматриваемых системах. Рассчитана на научных работников, занимающихся теоретическими и экспериментальными исследованиями в области дифракции рентгеновских лучей и нейтронов, физики твердого тела, металлофизики и материаловедения, а также на студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 86 |
|
Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии / В. Г. Лифшиц, Ю. В. Луняков; Рос. АН, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления. — Владивосток: Дальнаука, 2004. — 315 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-8044-0454-7: 50.00.
|
| 87 |
|
Полупроводники: сб. науч. тр. / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск: ИФП РАН, 1995. — 326 с.: ил. — ISBN 5-7623-1179-1: 10000.00. |
| 88 |
|
Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками / Ф. Г. Басс, А. А. Булгаков, А. П. Тетервов. — М.: Наука, 1989. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — ISBN 5-02-014021-X: 4.30.
|
| 89 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
|
| 90 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
|